加工流程
　　单晶生长→切断→外径滚磨→平边或V型槽处理→切片
　　倒角→研磨 　　　腐蚀--抛光→清洗→包装
　　切断 ：目的是切除单晶硅棒的头部 、尾部及超出客户规格的部分 ，将单晶硅棒分段成切片设备可以处理的长度 ，切取试片测量单晶硅棒的电阻率含氧量 。
　　切断的设备 ：内园切割机或外园切割机
　　切断用主要进口材料 ：刀片
　　外径磨削 ：由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比***终抛光晶片所规定的直径规格大 ，通过外径滚磨可以获得较为精确的直径 。
　　外径滚磨的设备 ：磨床
　　平边或V型槽处理 ：指方位及指定加工，用以单晶硅捧上的特定结晶方向平边或V型 。
　　处理的设备 ：磨床及X-RAY绕射仪 。
　　切片 ：指将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶片 。
　　切片的设备 ：内园切割机或线切割机
　　倒角 ：指将切割成的晶片税利边修整成圆弧形 ，防止晶片边缘破裂及晶格缺陷产生 ，增加磊晶层及光阻层的平坦度 。
　　倒角的主要设备 ：倒角机
　　研磨 ：指通过研磨能除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层 ，有效改善单晶硅片的曲度 、平坦度与平行度 ，达到一个抛光过程可以处理的规格 。
　　研磨的设备 ：研磨机(双面研磨)
　　主要原料 ：研磨浆料(主要成份为氧化铝 ，铬砂 ，水) ，滑浮液 。
　　腐蚀 ：指经切片及研磨等机械加工后 ，晶片表面受加工应力而形成的损伤层 ，通常采用化学腐蚀去除 。
　　腐蚀的方式 ：(A)酸性腐蚀 ，是***普遍被采用的 。酸性腐蚀液由硝酸(HNO3) ，氢氟酸(HF) ，及一些缓冲酸(CH3COCH ，H3PO4)组成 。
　　　　　　　(B)碱性腐蚀 ，碱性腐蚀液由KOH或NaOH加纯水组成 。
　　抛光 ：指单晶硅片表面需要改善微缺陷 ，从而获得高平坦度晶片的抛光 。
　　抛光的设备 ：多片式抛光机 ，单片式抛光机 。
　　抛光的方式 ：粗抛 ：主要作用去除损伤层 ，一般去除量约在10-20um ；
　　　　　　　　精抛 ：主要作用改善晶片表面的微粗糙程度 ，一般去除量1um以下
　　主要原料 ：抛光液由具有SiO2的微细悬硅酸胶及NaOH(或KOH或NH4OH)组成 ，分为粗抛浆和精抛浆 。
　　清洗 ：在单晶硅片加工过程中很多步骤需要用到清洗 ，这里的清洗主要是抛光后的***终清洗 。清洗的目的在于清除晶片表面所有的污染源 。
　　清洗的方式 ：主要是传统的RCA湿式化学洗净技术 。
　　主要原料 ：H2SO4 ，H2O2 ，HF ，NH4HOH ，HCL
　　损耗产生的原因
　　A.多晶硅--单晶硅棒
　　多晶硅加工成单晶硅棒过程中 ：如产生损耗是重掺埚底料 、头尾料则无法再利用 ，只能当成冶金行业如炼铁 、炼铝等用作添加剂 ；如产生损耗是非重掺埚底料 、头尾料可利用制成低档次的硅产品 ，此部分应按边角料征税 。
　　重掺料是指将多晶硅原料及接近饱和量的杂质(种类有硼 ，磷 ，锑 ，砷。杂质的种类依电阻的N或P型)放入石英坩埚内溶化而成的料 。
　　重掺料主要用于生产低电阻率(电阻率＜0.011欧姆／厘米)的硅片 。
　　损耗 ：单晶拉制完毕后的埚底料约15% 。
　　单晶硅棒整形过程中的头尾料约20% 。
　　单晶整形过程中(外径磨削工序)由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比***终抛光晶片所规定的直径规格大 ，通过外径磨削可以获得较为精确的直径 。损耗约10%-13% 。